●トランセンドのPCIe SSD 110QはPCIe Gen3×4インターフェースを採用し、NVMe規格に対応したM.2 SSDです。
●3D QLC NANDを採用した大容量ストレージとPCIe Gen3 x4インターフェースによる最大2,000MB/sの読出し、最大1,500MB/sの書込みを提供するコストパフォーマンスに優れたソリューションです。
●NVMe 1.3に準拠し、PCIe Gen3×4インターフェースを採用しています。
●4レーンで同時にデータの送信と受信を行うので最大2,000MB/sの読出しと1,500MB/sの書込みが可能です。
●セルあたりの記憶容量が4ビットのQLC NANDフラッシュを積層化した3D NANDフラッシュ技術を活用して、ストレージ密度を高めています。
●PCIe SSDを利用するエンタープライズやクライアントアプリケーションのニーズに対応するように策定されたホストコントローラーインターフェイス規格で、AHCIよりも幅広い帯域、高速IOPS、低遅延など、優れたパフォーマンスが求められます。
●低消費電力なので、バッテリーによる駆動時間の改善が期待でき、転送速度やストレージ容量と合わせると、費用対効果が高い選択肢です。
●高品質の製品を提供するために、トランセンドではSSDに対して厳格な試験を実施し、振動耐性、高温/低温および高湿動作、パフォーマンス、機能が仕様を満たしていることを確認しています。【ご注意】
最大読出し速度、最大書込み速度は、容量により異なりますので、予めご注意ください。
TS500GMTE110Q:最大読出し1900MB/s、最大書込み:900MB/s
TS1TMTE110Q:最大読出し2000MB/s、最大書込み:1500MB/s※保証規定につきましては、下記ウェブページからご確認ください。

※トランセンド社取扱製品のため、お客様サポートにつきましては下記「トランセンド製品のお客様サポートについて」をご確認ください。
※転送スピードはすべての環境において保証されるものではございません。
※1GBは1,000,000,000バイトですが、OS上では1,024MBを1GBとして計算されるため、0.93GBと表示されます。
※すべてのブランド名は各社の登録商標です。
※仕様は予告なく変更される場合がございます。

■サイズ:約W80×D22×H3.58mm
■重量:8g
■容量:500GB
■規格:M.2 2280
■バスインターフェース:NVMe PCIe Gen3×4
■フラッシュ種類:3D NANDフラッシュ
■動作環境温度:0℃～70℃
■動作電圧:3.3V±5%
■最大読出し:1900MB/s
■最大書込み:900MB/s
■TBW:150TBW
■認証:CE/FCC/BSMI
■保証期間:3年保証(トランセンド社 メーカー保証)【ご注意】
最大読出し速度、最大書込み速度は、容量により異なりますので、予めご注意ください。
TS500GMTE110Q:最大読出し1900MB/s、最大書込み:900MB/s
TS1TMTE110Q:最大読出し2000MB/s、最大書込み:1500MB/s※保証規定につきましては、下記ウェブページからご確認ください。

※トランセンド社取扱製品のため、お客様サポートにつきましては下記「トランセンド製品のお客様サポートについて」をご確認ください。
※転送スピードはすべての環境において保証されるものではございません。
※1GBは1,000,000,000バイトですが、OS上では1,024MBを1GBとして計算されるため、0.93GBと表示されます。
※すべてのブランド名は各社の登録商標です。
※仕様は予告なく変更される場合がございます。